Модуль транзисторний DACO Semiconductor DAMI320N100, 100В, 280А, SOT227B

Модуль транзисторний DACO Semiconductor DAMI320N100 — це силовий MOSFET-модуль з напругою 100 В та струмом 280 А.

• Струм дренажу 280 А
• Напруга дренаж-джерело 100 В
• Корпус SOT227B
• Розсіювана потужність 424 Вт
• Імпульсний струм 900 А
• Тип: MOSFET-модуль

Висока потужність та струм

Модуль забезпечує постійний струм дренажу 280 А та імпульсний струм до 900 А. Максимальна розсіювана потужність становить 424 Вт, що гарантує стабільну роботу під навантаженням.

Надійна конструкція та монтаж

Корпус SOT227B з механічним та електричним кріпленням «прикручуваний» забезпечує ефективне відведення тепла. Однополярна структура та напруга дренаж-джерело 100 В визначають електричні параметри модуля. Напруга затвор-джерело становить -20...20 В. Опір у провідному стані дорівнює 2,1 мОм, що зменшує втрати енергії. Структура напівпровідника — одиночний транзистор.