Діодний модуль DACO Semiconductor DACSB80060CT, SiC, 600 В, 400 А

Діодний модуль DACO Semiconductor DACSB80060CT — це напівпровідниковий компонент на основі карбіду кремнію (SiC) з подвійною структурою та спільною катодом. Модуль розрахований на постійну зворотну напругу 600 В та струм проведення 400 А на кожен канал.

• Технологія SiC (карбід кремнію)
• Максимальна зворотна напруга: 600 В
• Максимальна пряма напруга: 1,45 В
• Струм проведення: 400 А x2
• Подвійна структура зі спільним катодом
• Корпус Twin tower B

Електричні параметри

Модуль має максимальну постійну зворотну напругу 600 В. Максимальна пряма напруга становить 1,45 В. Струм провідження (If) дорівнює 400 А для кожного з двох каналів.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію). Структура модуля — подвійна, зі спільним катодом. Корпус типу Twin tower B призначений для механічного та електричного монтажу за допомогою прикручування.