Діодний модуль DACO Semiconductor DACSB60060CT, 600 В, 300 А, SiC

Діодний модуль DACO Semiconductor DACSB60060CT — це напівпровідниковий компонент на основі карбіду кремнію (SiC) з подвійною структурою та спільною катодом. Модель розрахована на постійну зворотну напругу 600 В та струм провідний струм 300 А на кожну з двох діодних гілок.

• Максимальна постійна зворотна напруга: 600 В
• Максимальна пряма напруга: 1,45 В
• Провідний струм: 300 А x 2
• Технологія: SiC (карбід кремнію)
• Структура: подвійна, спільна катод
• Тип монтажу: прикручуваний

Електричні параметри

Модуль має максимальну постійну зворотну напругу 600 В. Максимальна пряма напруга становить 1,45 В. Струм провідження (If) дорівнює 300 А для кожної з двох гілок.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію) та має структуру «подвійна, спільна катод». Корпус виконаний у форматі Twin tower B. Механічний та електричний монтаж — прикручуваний.