Транзисторний модуль DACO Semiconductor DACMI40N1200, SiC, 1200 В, 25 А, SOT227B

Модуль DACO Semiconductor DACMI40N1200 — це напівпровідниковий компонент на основі технології SiC, що містить одиночний транзистор MOSFET. Пристрій призначений для високовольтних застосувань із номінальною напругою 1200 В та струмом 25 А, забезпечуючи ефективне перемикання в промислових електронних системах.

• Технологія SiC для високої ефективності
• Номінальна напруга 1200 В
• Струм дрену 25 А
• Робочий діапазон температур -55...150 °C
• Корпус SOT227B із гвинтовим кріпленням
• Одиночний транзистор MOSFET

Високовольтна стійкість

Модуль розрахований на робочу напругу дрен-джерело 1200 В, що дозволяє використовувати його в мережах із підвищеною напругою. Такий параметр критичний для інверторів та перетворювачів, де необхідна надійна ізоляція та стабільність роботи під високим навантаженням.

Ефективність технології SiC

Використання карбіду кремнію (SiC) як напівпровідникового матеріалу забезпечує кращі теплові характеристики порівняно з традиційним силіконом. Це дозволяє пристрою працювати в широкому температурному діапазоні від -55 до 150 °C, зберігаючи стабільність параметрів у складних умовах експлуатації.

Надійне кріплення та монтаж

Корпус SOT227B із гвинтовим кріпленням (прикручуваний монтаж) гарантує щільний контакт із радіатором та механічну стійкість. Таке рішення спрощує інтеграцію модуля в промислові блоки живлення, забезпечуючи довговічність з'єднань та ефективний відвід тепла.