Транзистор DACO Semiconductor DACMI40N1200, SiC, 1200 В, 25 А, SOT227B

Транзистор DACO Semiconductor DACMI40N1200 — це силовий MOSFET на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі SOT227B. Пристрій розрахований на максимальну напругу 1200 В та струм стоку 25 А.

• Технологія: SiC
• Корпус: SOT227B
• Максимальна робоча температура: 150 °C
• Максимально допустимий струм стоку: 25 А
• Монтаж: прикручуваний

Електричні параметри

Модуль працює з максимальною робочою температурою до 150 °C. Максимально допустимий струм стоку становить 25 А. Технологія SiC визначає ключові характеристики напівпровідникової структури.

Конструкція та монтаж

Корпус типу SOT227B забезпечує стандартне кріплення. Монтаж механічний та електричний — прикручуваний. Структура напівпровідника — одиночний транзистор, поляризація уніполярна.