Діодний модуль DACO Semiconductor CSRI2X50-065, SiC, 650 В, 50 А x2

Діодний модуль DACO Semiconductor CSRI2X50-065 — це напівпровідниковий компонент на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі SOT227B. Пристрій має подвійну незалежну структуру з двома діодами Шотткі, розрахованими на струм 50 А кожен.

• Технологія SiC (карбід кремнію)
• Корпус SOT227B
• Максимальна зворотна напруга 650 В
• Струм провідання 50 А x2
• Максимальний імпульсний струм 0,5 кА
• Максимальна напруга провідання 1,45 В
• Подвійна незалежна структура
• Тип діода: Шотткі

Висока напруга та струм

Модуль працює при максимальній зворотній напрузі 650 В та забезпечує прямий струм 50 А для кожного з двох каналів.

Технологія SiC та корпус SOT227B

Використання технології SiC (карбід кремнію). Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT227B, що передбачає монтаж прикручуванням.

Електричні параметри

Максимальна напруга провідання становить 1,45 В. Максимальний імпульсний струм досягає 0,5 кА.