Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD88539NDT, 60V, 15A, SO8 (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD88539NDT — це подвійний польовий транзистор у корпусі SO8, призначений для комутації навантажень до 15 А при напрузі 60 В. Комплект із 20 одиниць зручний для прототипування та серійного монтажу на друкованих платах.

• Подвійний N-MOSFET транзистор у корпусі SO8
• Максимальна напруга дренаж-джерело 60 В
• Струм дренажу до 15 А
• Опір у відкритому стані 23 мОм
• Потужність розсіювання 2,1 Вт
• Комплект із 20 одиниць для монтажу

Ефективна комутація струму

Транзистор має опір у відкритому стані 23 мОм, що мінімізує втрати потужності та нагрівання під час роботи. Максимальний струм дренажу становить 15 А, а напруга дренаж-джерело — 60 В, що дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах. Потужність розсіювання обмежена 2,1 Вт, тому важливо забезпечити належне відведення тепла від корпусу.

Компактний корпус SMD

Монтаж здійснюється методом поверхневого монтажу (SMD) у корпусі SO8, що економить місце на платі та спрощує автоматизацію виробництва. Технологія NexFET™ забезпечує швидке перемикання та низькі втрати на заряді. Заряд затвора становить 7,2 нКл, що впливає на швидкодію та вимоги до драйвера затвора.

Електричні параметри затвора та каналу

Транзистор має однополярну полярність та збагачуваний канал, що визначає логіку його відкривання. Максимальна допустима напруга затвор-джерело становить ±20 В, що задає межі керуючого сигналу. Ці параметри важливі для правильного вибору драйвера та схеми керування.## Комплект для прототипування та серійного монтажу