
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD88537NDT, 60V, 15A, SO8 (набір 10 шт.)
2 150 ₴
- В наявності
- Код: TM073083
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD88537NDT — це уніполярний компонент із двома каналами в корпусі SO8. Має максимальну напругу стік-сорс 60 В та максимальний струм стоку 15 А.
- Напруга стік-сорс: 60 В
- Струм стоку: 15 А
- Опір у відкритому стані: 12,5 мОм
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Технологія: NexFET™
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-сорс 60 В та витримує струм стоку 15 А. Потужність розсіювання становить 2,1 Вт, що визначає тепловий режим роботи. Опір у відкритому стані дорівнює 12,5 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі SO8 із технологією монтажу SMD. Монтаж здійснюється методом SMD. Використовується технологія NexFET™.
Комплектація
У наборі постачається 10 транзисторів. Напруга затвор-сорс становить ±20 В. Заряд затвора дорівнює 14 нКл. Канал є збагачуваним.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.1 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 15 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 12.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | NexFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 150 ₴
