Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD87502Q2T, 30V, 5A, WSON6 (набір 40 шт.)
2 340 ₴
- В наявності
- Код: TM035436
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD87502Q2T, 30V, 5A, WSON6 (набір 40 шт.)В наявності
2 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD87502Q2T — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Модель виконана в компактному корпусі WSON6 розміром 2 × 2 мм та поставляється набором із 40 штук.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрена-джерела: 30 В
- Струм дрена: 5 А
- Корпус: WSON6, розмір 2 × 2 мм
- Монтаж: SMD
- Кількість у наборі: 40 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 30 В та струм дрена 5 А. Опір у стані провідності становить 35,5 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 2,3 Вт, а заряд затвора — 2,2 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений за технологією NexFET™ у корпусі WSON6. Габаритні розміри 2 × 2 мм, монтаж — SMD.
Технічні характеристики та монтаж
Компонент виготовлений за технологією NexFET™. Напруга затвора становить ±20 В. У комплекті постачається 40 транзисторів CSD87502Q2T.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 35.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | WSON6 |
| Розміри | 2 × 2 |
| Технологія | NexFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 340 ₴