Транзистор P-MOSFET Texas Instruments CSD25404Q3T, -20В, -60А, VSON-CLIP8 (набір 20 шт.)

Транзистор P-MOSFET Texas Instruments CSD25404Q3T — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи в схемах із напругою до -20 В та струмом до -60 А. Завдяки технології NexFET™ та корпусу VSON-CLIP8, він забезпечує ефективне розсіювання потужності до 96 Вт у компактному розмірі 3.3 × 3.3 мм.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: -20 В
• Максимальний струм стоку: -60 А
• Потужність розсіювання: 96 Вт
• Опір у провідному стані: 5,5 мОм
• Корпус: VSON-CLIP8, монтаж SMD
• Комплектація: набір із 20 штук

Висока потужність та струм

Компонент витримує струм стоку -60 А та розсіює потужність 96 Вт, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах із високими навантаженнями. Низький опір у провідному стані 5,5 мОм мінімізує втрати енергії та нагрівання під час роботи.

Компактний корпус та монтаж

Транзистор виготовлений у корпусі VSON-CLIP8 із розмірами 3.3 × 3.3 мм, що підходить для поверхневого монтажу (SMD). Це рішення ідеальне для пристроїв із обмеженим простором на друкованій платі, де важлива щільність компонентів.

Низький заряд затвора та швидке перемикання

Заряд затвора становить 10,9 нКл, що сприяє швидкому перемиканню транзистора та зниженню втрат на керування. Максимальна напруга затвор-витік ±12 В визначає допустимі режими роботи драйвера затвора в схемі.