Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19537Q3T, 100V, 50A, VSON-CLIP8 (20 шт.)
3 540 ₴
- В наявності
- Код: TM018296
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19537Q3T, 100V, 50A, VSON-CLIP8 (20 шт.)В наявності
3 540 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19537Q3T — це уніполярний компонент із каналом збагачення, розрахований на напругу 100 В та струм 50 А. Пакет містить 20 штук.
- Струм дрена 50 А
- Напруга дрена-джерела 100 В
- Розсіювана потужність 83 Вт
- Опір у стані провідності 12,1 мОм
- Корпус VSON-CLIP8 (SMD)
- Упаковка: 20 шт.
Потужність та струм
Компонент має напругу дрена-джерела 100 В та струм дрена 50 А. Розсіювана потужність становить 83 Вт.
Низький опір та технологія NexFET™
Завдяки технології NexFET™ опір у стані провідності становить 12,1 мОм. Заряд воріт дорівнює 16 нКл.
Компактний корпус SMD
Транзистор виконаний у корпусі VSON-CLIP8 із розмірами 3,3 × 3,3 мм. Тип монтажу — SMD.
Комплектація
У комплекті постачається 20 транзисторів CSD19537Q3T. Напруга на затворі може сягати ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна потужність розсіювання | 83 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 50 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 12.1 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | VSON-CLIP8 |
| Розміри | 3.3 × 3.3 |
| Технологія | NexFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 540 ₴