Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19536KCS, 100В, 150А, 375Вт, TO220-3 (5 шт.)
2 460 ₴
- В наявності
- Код: TM073080
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19536KCS, 100В, 150А, 375Вт, TO220-3 (5 шт.)В наявності
2 460 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19536KCS — це напівпровідниковий прилад з каналом типу N та технологією NexFET™. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO220-3 для монтажу на плату (THT).
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Максимальний струм стоку: 150 А
- Потужність розсіювання: 375 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Технологія: NexFET™
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 100 В, а максимально допустимий струм стоку — 150 А. Потужність розсіювання досягає 375 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі TO220-3 з товщиною радіатора 1.14–1.4 мм. Тип монтажу THT (through-hole technology) означає встановлення виводів у отвори друкованої плати.
Технологія NexFET™
Виробник застосовує технологію NexFET™, яка оптимізує характеристики польового транзистора. У комплекті постачається 5 шт. транзисторів,
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна потужність розсіювання | 375 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 150 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.3 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | NexFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 460 ₴