Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19535KTT, 100В, 200А, D2PAK (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19535KTT — це силовий компонент із технологією NexFET™, призначений для високопотужних схем. Модель розрахована на напругу 100 В та постійний струм 200 А, що робить її ідеальним рішенням для промислового обладнання та потужних джерел живлення. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення, що забезпечує просте керування та стабільну роботу в ключових режимах.

• Струм стоку 200 А для потужних силових ланцюгів
• Імпульсний струм до 400 А для пікових навантажень
• Розсіювана потужність 300 Вт забезпечує надійність
• Низький опір 4,1 мОМ зменшує втрати енергії
• Корпус D2PAK та монтаж SMD для зручного паяння
• Набір із 10 транзисторів для серійного виробництва

Висока струмова навантаженість та напруга

Транзистор витримує постійний струм стоку 200 А та напругу стік-витік 100 В, що дозволяє використовувати його в ланцюгах із великим споживанням енергії. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 400 А, забезпечуючи стабільну роботу при пікових навантаженнях. Це критично важливо для систем, де можливі короткочасні перевантаження.

Ефективне розсіювання тепла та низькі втрати

Максимальна розсіювана потужність становить 300 Вт, що гарантує надійність компонента під час тривалої роботи. Низький опір у відкритому стані 4,1 мОМ мінімізує втрати енергії та нагрівання корпусу. Така ефективність дозволяє зменшити розміри радіаторів або відмовитися від них у деяких застосуваннях.

Зручний монтаж та комплектація

Компонент виконаний у корпусі D2PAK із технологією монтажу SMD, що спрощує автоматизоване виробництво плат. Товар поставляється набором із 10 штук, що зручно для прототипування або серійного складання. Максимальна напруга затвор-витік ±20 В дозволяє використовувати стандартні драйвери керування.