Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19534KCS, 100В, 100А, TO220-3 (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19534KCS — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи під навантаженням до 100 А та напругою 100 В. Комплект із 20 штук у корпусі TO220-3 зручний для серійного монтажу та прототипування силових схем.

• Струм стоку 100 А для потужних силових схем
• Напруга стік-витік 100 В
• Розсіювана потужність 118 Вт
• Опір у стані провідності 13,7 мОм
• Корпус TO220-3 з монтажем THT
• Комплект із 20 транзисторів

Висока потужність та струм

Транзистор розрахований на постійний струм стоку 100 А та розсіювання потужності до 118 Вт. Це дозволяє використовувати його в потужних імпульсних джерелах живлення та силових ключах без ризику перегріву при номінальних режимах.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності становить 13,7 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента. Такий показник важливий для підвищення ККД пристроїв, де транзистор працює у ключовому режимі тривалий час.

Зручний монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі TO220-3 з технологією монтажу THT (скрізний монтаж). Товщина радіатора 1,14–1,4 мм забезпечує сумісність із стандартними радіаторами, що спрощує відведення тепла у готових пристроях.

Технічні характеристики керування

Напруга затвор-витік становить ±20 В, а заряд затвора — 16,4 нКл. Ці параметри визначають швидкість перемикання та вимоги до драйвера затвора, що робить транзистор передбачуваним у схемах керування.

Транзистор CSD19534KCS підходить для інженерів та радіоаматорів, які потребують надійних силових компонентів для промислових або аматорських електронних проектів із високими вимогами до струму та напруги. Завдяки технології NexFET™ компонент забезпечує ефективну роботу у сучасних силових схемах. Уніполярна структура з каналом збагачення гарантує стабільну роботу при керуванні напругою затвора.