Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19533Q5AT, 100 В, 100 А, 96 Вт (VSONP8) — набір 10 шт.

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19533Q5AT — це уніполярний компонент із каналом збагачення, розрахований на напругу 100 В та струм 100 А. Пристрій виготовлений у корпусі VSONP8 розміром 5 × 6 мм за технологією NexFET™ і призначений для поверхневого монтажу (SMD).

• Максимальна потужність розсіювання 96 Вт
• Напруга стік-витік 100 В
• Струм стоку 100 А
• Корпус VSONP8 розміром 5 × 6 мм
• Технологія NexFET™
• Набір із 10 транзисторів

Електричні параметри та навантаження

Максимальна потужність розсіювання становить 96 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Максимально допустима напруга стік-витік дорівнює 100 В, а максимально допустимий струм стоку — 100 А.

Корпус, монтаж та технологія

Компонент має корпус VSONP8 із габаритами 5 × 6 мм. Тип монтажу — SMD (поверхневий). Виробник Texas Instruments застосовує технологію NexFET™ для цієї моделі.

Комплектація та ідентифікація

Товар постачається набором із 10 штук. Символ TME: CSD19533Q5AT.