Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19531Q5AT, 100В, 100А, VSONP8 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19531Q5AT — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для потужних силових схем. Модель забезпечує високу ефективність комутації завдяки технології NexFET™ та низькому опору у відкритому стані.

• Струм стоку до 100 А
• Розсіювання потужності 125 Вт
• Опір у стані провідності 5,3 мОм
• Корпус VSONP8 (5 × 6 мм)
• Технологія NexFET™
• Набір із 10 транзисторів

Висока потужність та струм

Компонент розрахований на постійний струм стоку до 100 А та розсіювання потужності 125 Вт. Це дозволяє використовувати транзистор у високонавантажених силових модулях, де важлива стабільність роботи під великим навантаженням.

Ефективна комутація

Опір у стані провідності становить лише 5,3 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента. Заряд затвора 37 нКл сприяє швидкому перемиканню, що є критичним для високочастотних перетворювачів.

Компактний корпус SMD

Транзистор виконаний у корпусі VSONP8 розміром 5 × 6 мм із монтажем SMD. Такі габарити дозволяють економити місце на друкованій платі, зберігаючи при цьому високі показники потужності.

Надійність ізоляції

Максимальна напруга стік-витік становить 100 В, а затвор-витік — ±20 В. Ці параметри гарантують безпечну експлуатацію в схемах із середнім рівнем напруги та захищають вхід керування від перевантажень.

Комплектація

Товар поставляється набором із 10 штук, що зручно для прототипування або серійного виробництва невеликих партій.