Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18542KTTT, 60В, 200А, D2PAK (20 шт.)
2 310 ₴
- В наявності
- Код: TM035434
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18542KTTT, 60В, 200А, D2PAK (20 шт.)В наявності
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 20 транзисторів N-MOSFET від Texas Instruments, модель CSD18542KTTT. Призначені для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі D2PAK, розраховані на напругу 60 В та струм 200 А.
- Струм стоку 200 А, імпульсний струм 400 А
- Напруга стік-виток 60 В
- Розсіювана потужність 250 Вт
- Опір у відкритому стані 5,1 мОм
- Корпус D2PAK, монтаж SMD
- Комплект із 20 транзисторів
Потужність та струмові характеристики
Транзистори витримують постійний струм стоку 200 А та імпульсний струм до 400 А. Максимальна розсіювана потужність становить 250 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 5,1 мОм.
Технічні параметри керування
Пристрій є уніполярним із каналом збагачення типу N-MOSFET. Напруга між затвором та витоком може сягати ±20 В, а заряд затвора становить 44 нКл. Використовується технологія NexFET™.
Комплектація та монтаж
У комплекті постачається 20 одиниць транзисторів. Компоненти призначені для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі D2PAK.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 200 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 5.1 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | NexFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 310 ₴