
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18536KTTT, 60V, 200A, D2PAK (3 шт.)
1 880 ₴
- В наявності
- Код: TM073077
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18536KTTT — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, розрахований на струм до 200 А та напругу 60 В. Прилад виготовлений у корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD) та постачається набором із 3 штук.
- Струм стоку 200 А та імпульсний струм 400 А
- Напруга стік-витік 60 В
- Розсіювана потужність 375 Вт
- Опір у відкритому стані 2,2 мОм
- Корпус D2PAK для монтажу SMD
- Набір із 3 транзисторів
Потужність та струмові характеристики
Транзистор має постійний струм стоку 200 А та імпульсний струм до 400 А. Максимальна розсіювана потужність становить 375 Вт, а опір у відкритому стані — 2,2 мОм.
Технологія NexFET™ та корпус D2PAK
Транзистор виготовлений за технологією NexFET™ та має заряд затвора 108 нКл. Корпус D2PAK призначений для поверхневого монтажу (SMD).
Електричні параметри керування
Напруга затвор-витік становить ±20 В, а напруга стік-витік — 60 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна потужність розсіювання | 375 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 200 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.2 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | NexFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 880 ₴
