Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18536KTTT, 60V, 200A, D2PAK (3 шт.)

1 880 ₴

  • В наявності
  • Код: TM073077
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18536KTTT, 60V, 200A, D2PAK (3 шт.)
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18536KTTT, 60V, 200A, D2PAK (3 шт.)В наявності
1 880 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18536KTTT — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, розрахований на струм до 200 А та напругу 60 В. Прилад виготовлений у корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD) та постачається набором із 3 штук.

  • Струм стоку 200 А та імпульсний струм 400 А
  • Напруга стік-витік 60 В
  • Розсіювана потужність 375 Вт
  • Опір у відкритому стані 2,2 мОм
  • Корпус D2PAK для монтажу SMD
  • Набір із 3 транзисторів

Потужність та струмові характеристики

Транзистор має постійний струм стоку 200 А та імпульсний струм до 400 А. Максимальна розсіювана потужність становить 375 Вт, а опір у відкритому стані — 2,2 мОм.

Технологія NexFET™ та корпус D2PAK

Транзистор виготовлений за технологією NexFET™ та має заряд затвора 108 нКл. Корпус D2PAK призначений для поверхневого монтажу (SMD).

Електричні параметри керування

Напруга затвор-витік становить ±20 В, а напруга стік-витік — 60 В.

Характеристики
Основні
ВиробникTexas Instruments
Максимальна потужність розсіювання375 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік60 В
Максимально допустимий струм стоку200 А
Опір у відкритому стані (Rds)2.2 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті3 шт.
КорпусD2PAK
ТехнологіяNexFET™
Інформація для замовлення
  • Ціна: 1 880 ₴