Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18535KTT, 60В, 200А, D2PAK (набір 10 шт.)
2 520 ₴
- В наявності
- Код: TM035433
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18535KTT, 60В, 200А, D2PAK (набір 10 шт.)В наявності
2 520 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18535KTT — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі D2PAK для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 10 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом, що збагачується
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Постійний струм стоку: 200 А (імпульсний до 400 А)
- Розсіювана потужність: 300 Вт
- Опір у відкритому стані: 2,9 мОм
- Корпус D2PAK, монтаж SMD
- Комплектація: набір із 10 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до 60 В та постійним струмом стоку 200 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 400 А, а розсіювана потужність становить 300 Вт. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В.
Технологія NexFET™
Прилад виготовлений за технологією NexFET™, що характеризується низьким опором у відкритому стані 2,9 мОм. Канал збагачуваний, полярність — уніполярна.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 200 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.9 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | NexFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 520 ₴