Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18514Q5AT, 40V, 50A, VSONP8 (20 шт.)
2 630 ₴
- В наявності
- Код: TM018290
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18514Q5AT — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для комутації струмів до 50 А при напрузі 40 В. Завдяки технології NexFET™ та низькому опору в стані провідності (4,1 мОм) він забезпечує ефективну роботу.
- Струм стоку до 50 А
- Напруга стік-витік 40 В
- Розсіювана потужність 74 Вт
- Опір у стані провідності 4,1 мОм
- Корпус VSONP8 (5 × 6 мм)
- Комплект із 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на постійний струм стоку 50 А та напругу стік-витік 40 В. Максимальна розсіювана потужність становить 74 Вт, що гарантує стабільну роботу під значним навантаженням.
Технологія NexFET™
Застосування технології NexFET™ забезпечує низький заряд затвора 29 нК, що спрощує керування транзистором та зменшує втрати на керування. Опір у стані провідності всього 4,1 мОм мінімізує нагрівання компонента під час роботи. Це критично для компактних пристроїв, де відведення тепла обмежене.
Компактний корпус VSONP8
Компонент виконаний у корпусі VSONP8 розміром 5 × 6 мм. Монтаж здійснюється за технологією SMD. Максимальна напруга затвор-витік ±20 В визначає вимоги до драйвера керування.
У комплекті поставляється 20 транзисторів.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна потужність розсіювання | 74 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 50 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.1 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | VSONP8 |
| Розміри | 5 × 6 |
| Технологія | NexFET™ |
- Ціна: 2 630 ₴