Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18510KTTT, 40V, 200A, D2PAK (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18510KTTT — це силовий компонент для електронних схем із навантаженням до 200 А. Модель у корпусі D2PAK забезпечує ефективне розсіювання тепла та зручний монтаж на друковану плату.

• Струм дренажу 200 А
• Імпульсний струм 400 А
• Потужність розсіювання 250 Вт
• Корпус D2PAK (SMD)
• Напруга дренаж-виток 40 В
• Набір із 10 транзисторів

Висока струмова навантаженість та напруга

Транзистор працює з постійним струмом дренажу 200 А та витримує імпульсний струм до 400 А при напрузі дренаж-виток 40 В. Це дозволяє використовувати компонент у потужних силових ланцюгах, де потрібна надійність при різких піках навантаження.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 250 Вт. Такий показник дозволяє компоненту стабільно працювати в умовах високого навантаження, зменшуючи ризик перегріву та підвищуючи загальну надійність пристрою.

Технологія NexFET™ та монтаж SMD

Компонент виготовлений у корпусі D2PAK із технологією монтажу SMD та використовує технологію NexFET™ від Texas Instruments. Це поєднання спрощує автоматизоване виробництво плат, забезпечує компактне розміщення та гарантує високі характеристики перемикання.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності становить 2,6 мОм. Таке низьке значення мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи, що критично для підвищення ККД силових перетворювачів та стабілізаторів напруги.