
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18503Q5AT, 40В, 100А, 120Вт (VSONP8, 10 шт.)
2 170 ₴
- В наявності
- Код: TM035432
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18503Q5AT — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 100 А при напрузі 40 В. Модель виконана в компактному SMD-корпусі VSONP8 (5×6 мм) та реалізується комплектом із 10 штук.
- Струм стоку 100 А
- Напруга стік-витік 40 В
- Потужність розсіювання 120 Вт
- Опір у відкритому стані 4,7 мОм
- Корпус VSONP8 (5×6 мм)
- Комплект: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік 40 В та витримує постійний струм стоку 100 А. Потужність розсіювання становить 120 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 4,7 мОм, а заряд затвора — 13 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений за технологією NexFET™ у корпусі VSONP8 розміром 5×6 мм. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж). Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В. Транзистор є уніполярним з каналом збагачення. Символ виробника — CSD18503Q5AT.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна потужність розсіювання | 120 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 100 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.7 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | VSONP8 |
| Розміри | 5 × 6 |
| Технологія | NexFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 170 ₴
