Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18503Q5AT, 40В, 100А, 120Вт (VSONP8, 10 шт.)

2 170 ₴

  • В наявності
  • Код: TM035432
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18503Q5AT, 40В, 100А, 120Вт (VSONP8, 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18503Q5AT, 40В, 100А, 120Вт (VSONP8, 10 шт.)В наявності
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18503Q5AT — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 100 А при напрузі 40 В. Модель виконана в компактному SMD-корпусі VSONP8 (5×6 мм) та реалізується комплектом із 10 штук.

  • Струм стоку 100 А
  • Напруга стік-витік 40 В
  • Потужність розсіювання 120 Вт
  • Опір у відкритому стані 4,7 мОм
  • Корпус VSONP8 (5×6 мм)
  • Комплект: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік 40 В та витримує постійний струм стоку 100 А. Потужність розсіювання становить 120 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 4,7 мОм, а заряд затвора — 13 нКл.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений за технологією NexFET™ у корпусі VSONP8 розміром 5×6 мм. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж). Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В. Транзистор є уніполярним з каналом збагачення. Символ виробника — CSD18503Q5AT.

Характеристики
Основні
ВиробникTexas Instruments
Максимальна потужність розсіювання120 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік40 В
Максимально допустимий струм стоку100 А
Опір у відкритому стані (Rds)4.7 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті10 шт.
КорпусVSONP8
Розміри5 × 6
ТехнологіяNexFET™
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 170 ₴