Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17581Q3AT, 30V, 60A, VSONP8 (набір 20 шт.)
2 950 ₴
- В наявності
- Код: TM018288
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17581Q3AT, 30V, 60A, VSONP8 (набір 20 шт.)В наявності
2 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17581Q3AT — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Модель виконана у корпусі VSONP8 та постачається набором із 20 штук.
- Струм стоку 60 А
- Напруга стік-витік 30 В
- Потужність розсіювання 63 Вт
- Опір у відкритому стані 3,9 мОм
- Корпус VSONP8 (3,3 × 3,3 мм) для SMD монтажу
- Набір із 20 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор має струм стоку 60 А та напругу стік-витік 30 В. Потужність розсіювання становить 63 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 3,9 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент має розміри 3,3 × 3,3 мм та виконаний у корпусі VSONP8 для поверхневого монтажу (SMD). Використовується технологія NexFET™.
Параметри керування
Напруга затвор-витік становить ±20 В. Заряд затвора дорівнює 20 нКл. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення.
Транзистор CSD17581Q3AT постачається набором із 20 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна потужність розсіювання | 63 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 60 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3.9 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | VSONP8 |
| Розміри | 3.3 × 3.3 |
| Технологія | NexFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 950 ₴