Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17579Q5AT, 30V, 25A, VSONP8 (набір 20 шт.)
2 070 ₴
- В наявності
- Код: TM073075
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17579Q5AT, 30V, 25A, VSONP8 (набір 20 шт.)В наявності
2 070 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17579Q5AT — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 25 А при напрузі 30 В. Пристрій виконаний у корпусі VSONP8 розміром 5 × 6 мм із технологією NexFET™ та має опір у відкритому стані 11,6 мОм.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Струм стоку: 25 А
- Розсіювана потужність: 36 Вт
- Опір у відкритому стані: 11,6 мОм
- Корпус: VSONP8, розміри 5 × 6 мм, монтаж SMD
- Технологія: NexFET™
- Кількість у наборі: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік 30 В та витримує постійний струм стоку 25 А. Максимальна розсіювана потужність становить 36 Вт. Заряд затвора дорівнює 5,4 нКл, а допустима напруга затвор-витік — ±20 В.
Корпус та монтаж
Компонент має поверхневий монтаж (SMD) у корпусі VSONP8. Габаритні розміри корпусу становлять 5 × 6 мм. Використано технологію NexFET™.
Комплектація
Товар поставляється набором із 20 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна потужність розсіювання | 36 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 25 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 11.6 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | VSONP8 |
| Розміри | 5 × 6 |
| Технологія | NexFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 070 ₴