Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17575Q3T, 30V, 60A, VSON-CLIP8 (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17575Q3T — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель виконана в компактному корпусі VSON-CLIP8 із технологією NexFET™ та розрахована на струм до 60 А при напрузі 30 В.

• Струм дренажу: 60 А
• Напруга дренаж-джерело: 30 В
• Розсіювана потужність: 108 Вт
• Опір у стані провідності: 2,6 мОм
• Корпус: VSON-CLIP8 (3,3 × 3,3 мм)
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор забезпечує провідність при напрузі дренаж-джерело 30 В та витримує струм дренажу 60 А. Опір у стані провідності становить 2,6 мОм, що мінімізує втрати енергії. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 108 Вт, а заряд затвора — 23 нКл.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі VSON-CLIP8 із розмірами 3,3 × 3,3 мм. Такий формат передбачає монтаж для поверхневого монтажу (SMD), що дозволяє економити місце на платі. Технологія NexFET™ використовується для оптимізації характеристик транзистора.

Полярність та тип каналу

Транзистор є уніполярним із каналом збагачення. Це означає, що пристрій відкритий лише за наявності напруги на затворі. Полярність та тип каналу визначають поведінку компонента в електричному колі.