Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17313Q2T, 30В, 5А, WSON6 (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17313Q2T — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель виконана в компактному корпусі WSON6 розміром 2×2 мм та поставляється набором із 20 штук.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 30 В
• Струм стоку: 5 А
• Розсіювана потужність: 17 Вт
• Корпус: WSON6, розмір 2 × 2 мм
• Монтаж: SMD
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Напруга та струм

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 30 В та постійний струм стоку 5 А. Напруга затвор-витік становить ±10 В, що визначає допустимі режими керування каналом.

Потужність та опір

Максимальна розсіювана потужність дорівнює 17 Вт. Опір у відкритому стані становить 26 мОм, що зменшує втрати при проходженні струму. Заряд затвора — 2,1 нКл, що впливає на швидкість перемикання.

Корпус та технологія

Компонент виготовлений за технологією NexFET™ у корпусі WSON6. Габаритні розміри корпусу становлять 2 × 2 мм. Монтаж виконується методом поверхневого монтажу (SMD).