Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17308Q3T, 30V, 50A, SMD (VSON-CLIP8), набір 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17308Q3T — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутації струму в електронних пристроях. Модель вирізняється високою струмовою навантаженістю 50 А та низьким опором у відкритому стані 9,4 мОм, що забезпечує ефективну роботу силових ланцюгів.

• Струм стоку 50 А та імпульсний струм 167 А для потужних навантажень
• Низький опір у відкритому стані 9,4 мОм зменшує втрати енергії
• Компактний корпус VSON-CLIP8 (3,3 × 3,3 мм) для монтажу SMD
• Технологія NexFET™ від Texas Instruments для високої ефективності
• Набір із 20 транзисторів зручний для прототипування

Висока струмова навантаженість

Транзистор розрахований на постійний струм стоку 50 А, що дозволяє використовувати його в потужних силових схемах з урахуванням розсіюваної потужності 2,7 Вт. Імпульсний струм може досягати 167 А, що важливо для пристроїв з короткочасними піковими навантаженнями, таких як драйвери двигунів або імпульсні блоки живлення.

Ефективність та мінімальні втрати

Опір у стані провідності становить лише 9,4 мОм, що мінімізує теплові втрати та підвищує загальний ККД пристрою. Максимальна розсіювана потужність 2,7 Вт вимагає дотримання правил монтажу для відведення тепла, особливо при роботі на граничних режимах.

Компактний корпус SMD

Компонент виконаний у корпусі VSON-CLIP8 з розмірами 3,3 × 3,3 мм, що дозволяє економити місце на друкованій платі. Технологія NexFET™ забезпечує оптимальне співвідношення розміру та електричних характеристик, а монтаж SMD спрощує автоматизоване виробництво.

Електричні параметри керування

Максимальна напруга затвор-витік становить ±10 В, що визначає вимоги до драйвера керування. Заряд затвора 3,9 нК впливає на швидкість перемикання транзистора та енергоспоживання керуючого ланцюга. Ці параметри важливі для розрахунку схеми керування затвором у імпульсних перетворювачах.