Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор P-MOSFET ONSEMI CPH6350-TL-W, SOT23, -30V, -6A (набір 30 шт.)

1 940 ₴

  • В наявності
  • Код: TM073054
Транзистор P-MOSFET ONSEMI CPH6350-TL-W, SOT23, -30V, -6A (набір 30 шт.)
Транзистор P-MOSFET ONSEMI CPH6350-TL-W, SOT23, -30V, -6A (набір 30 шт.)В наявності
1 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор P-MOSFET ONSEMI CPH6350-TL-W — це уніполярний компонент у корпусі SOT23 для монтажу на поверхню (SMD). Набір складається з 30 одиниць.

  • Тип: P-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
  • Напруга дрена-джерела: -30 В
  • Струм дрена: -6 А (постійний), -24 А (імпульсний)
  • Корпус: SOT23, монтаж SMD
  • Потужність розсіювання: 1,6 Вт
  • Опір у відкритому стані: 86 мОм
  • Кількість у наборі: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор має напругу дрена-джерела -30 В та постійний струм дрена -6 А. У імпульсному режимі струм може досягати -24 А. Потужність розсіювання становить 1,6 Вт, а опір у відкритому стані — 86 мОм.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у стандартному корпусі SOT23, що дозволяє використовувати його для поверхневого монтажу (SMD).

Комплектація

У пакуванні міститься 30 транзисторів ONSEMI CPH6350-TL-W. Напруга затвор-джерело становить ±20 В, а заряд затвора — 13 нКл. Канал транзистора є збагачуваним.

Характеристики
Основні
ВиробникON Semiconductor
Максимальна потужність розсіювання1.6 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Опір у відкритому стані (Rds)86 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті30 шт.
КорпусSOT23
Інформація для замовлення
  • Ціна: 1 940 ₴