Транзистор N-MOSFET Bridgelux BXT280N02B, 20V, 4A, SOP8 — набір 150 шт.

Транзистор N-MOSFET Bridgelux BXT280N02B — це подвійний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в схемах керування живленням. Компонент виконаний у компактному корпусі SOP8 для поверхневого монтажу (SMD) та пропонується у комплекті зі 150 штук, що зручно для серійного виробництва або ремонтних майстерень.

• Подвійний N-MOSFET транзистор з каналом збагачення
• Напруга дрена-джерела 20 В, струм дрена 4 А
• Імпульсний струм дрена до 24 А
• Опір у стані провідності 38 мОм
• Розсіювана потужність 1,6 Вт
• Корпус SOP8 для SMD монтажу
• Комплект: 150 штук

Електричні параметри

Транзистор має напругу дрена-джерела 20 В та постійний струм дрена 4 А. У імпульсному режимі струм може досягати 24 А, що дозволяє використовувати компонент у силових ключах із короткочасними навантаженнями. Опір у стані провідності становить 38 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання під час роботи.

Теплові характеристики та керування

Максимальна розсіювана потужність транзистора — 1,6 Вт. Для ефективного керування затвором передбачено напругу затвор-джерело ±12 В. Загальний заряд затвора становить 5,5 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера затвора.

Монтаж та корпус

Компонент виготовлений у корпусі SOP8, що забезпечує компактність вузла. Тип монтажу — SMD (поверхневий), що відповідає сучасним стандартам автоматизованого виробництва друкованих плат. Таке рішення підходить для пристроїв із обмеженим простором на платі.

Тип транзистора та полярність Транзистор є подвійним N-MOSFET з каналом збагачення та уніполярною полярністю. Така конфігурація дозволяє розмістити два незалежних ключа в одному корпусі SOP8, що економить місце на друкованій платі та спрощує трасування. ## Електричні параметри Транзистор має напругу дрена-джерела 20 В та постійний струм дрена 4 А. У імпульсному режимі струм може досягати 24 А, що дозволяє використовувати компонент у силових ключах із короткочасними навантаженнями. Опір у стані провідності становить 38 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання під час роботи. ## Теплові характеристики та керування Максимальна розсіювана потужність транзистора — 1,6 Вт. Для ефективного керування затвором передбачено напругу затвор-джерело ±12 В. Загальний заряд затвора становить 5,5 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера затвора. ## Монтаж та корпус Компонент виготовлений у корпусі SOP8, що забезпечує компактність вузла. Тип монтажу — SMD (поверхневий), що відповідає сучасним стандартам автоматизованого виробництва друкованих плат. Таке рішення підходить для пристроїв із обмеженим простором на платі. ## Комплектація Товар постачається у вигляді набору зі 150 штук. Така кількість зручна для серійного виробництва, складання прототипів або забезпечення запасу компонентів для ремонтних робіт. Транзистор Bridgelux BXT280N02B є оптимальним вибором для інженерів та виробників електроніки, які потребують надійних N-MOSFET транзисторів для низьковольтних схем комутації та керування живленням.