Транзистор N-MOSFET Bridgelux BXT1150N10J, 100В, 5,6А, SOT89-3, 150 шт.

Транзистор Bridgelux BXT1150N10J — це уніполярний N-MOSFET з каналом збагачення, розрахований на напругу 100 В та струм 5,6 А. Компонент виконаний у корпусі SOT89-3 для монтажу на поверхню (SMD) і постачається у комплекті зі 150 штук. Напруга затвора становить ±20 В.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 100 В
• Струм дрена: 5,6 А (імпульсний до 32 А)
• Корпус SOT89-3 для SMD-монтажу
• Комплект: 150 транзисторів

Напруга та струм

Транзистор працює з напругою дрена-джерела 100 В та витримує імпульсний струм до 32 А при номінальному струмі 5,6 А. Опір у відкритому стані становить 135 мОм.

Потужність та заряд затвора

Потужність розсіювання обмежена 2 Вт, а заряд затвора — 21 нКл. Ці параметри визначають тепловий режим та швидкість перемикання компонента.