Транзистор N-MOSFET Bridgelux BXT1150N10D, 100В, 12,8А, TO252 — набір 80 шт.

Транзистор Bridgelux BXT1150N10D — це N-канальний MOSFET у корпусі TO252 для монтажу на поверхні плати (SMD). Комплект складається з 80 одиниць.

• N-канальний MOSFET із напругою дрена-джерела 100 В
• Постійний струм дрена 12,8 А, імпульсний — до 64 А
• Розсіювана потужність 78 Вт
• Опір у стані провідності 135 мОм
• Корпус TO252 для SMD-монтажу
• Комплект із 80 транзисторів

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 100 В та постійним струмом дрена 12,8 А. У імпульсному режимі струм може досягати 64 А, а розсіювана потужність становить 78 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 135 мОм.

Керування та монтаж

Пристрій є уніполярним із збагачуваним каналом. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В, а заряд затвора становить 21 нКл. Монтаж виконується технологією SMD у корпусі TO252.