Транзистор N-MOSFET Bridgelux BXS1150N10M, 100В, 2,6А, SOT23-3 (50 шт.)

Транзистор N-MOSFET Bridgelux BXS1150N10M — це уніполярний компонент з каналом збагачення. Комплект складається з 50 одиниць у корпусі SOT23-3 для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга витоку-джерела: 100 В
• Струм витоку: 2,6 А (імпульсний до 15,6 А)
• Корпус SOT23-3 для SMD монтажу
• Комплект: 50 штук

Електричні параметри

Максимальна напруга між витоком та джерелом становить 100 В, що визначає робочий діапазон навантаження. Стійкий струм витоку дорівнює 2,6 А, а імпульсний струм може досягати 15,6 А. Напруга на затворі обмежена ±20 В.

Теплові характеристики та опір

Потужність розсіювання становить 2,5 Вт, що накладає обмеження на тепловий режим роботи компонента. Опір у відкритому стані дорівнює 0,15 Ом, що впливає на втрати потужності при протіканні струму. Заряд затвора становить 16,3 нКл, що характеризує швидкість перемикання та навантаження на керуючий вузол.

Монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі SOT23-3. Технологія монтажу — SMD.