Транзистор N-MOSFET Bridgelux BXP4N65D, 650В, 2,5А, TO252 (60 шт.)
1 900 ₴
- В наявності
- Код: TM072267
Транзистор N-MOSFET Bridgelux BXP4N65D, 650В, 2,5А, TO252 (60 шт.)В наявності
1 900 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Bridgelux BXP4N65D — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект складається з 60 одиниць у корпусі TO252 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 650 В
- Струм дрена: 2,5 А (постійний), 16 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 77 Вт
- Корпус: TO252, монтаж SMD
- Комплектація: 60 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 2,5 А. У імпульсному режимі допустимий струм дрена зростає до 16 А. Максимальна розсіювана потужність становить 77 Вт, а допустима напруга між затвором і витоком — ±30 В.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі TO252 для поверхневого монтажу (SMD). Опір у стані провідності становить 2,8 Ом, а заряд затвора — 13 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Bridgelux |
| Максимальна потужність розсіювання | 77 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2800 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | TO252 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 900 ₴