Транзистор N-MOSFET Bridgelux BXP2N65D, 650 В, 1,21 А, TO252 (набір 100 шт.)

Транзистор N-MOSFET Bridgelux BXP2N65D — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект складається зі 100 одиниць у корпусі TO252 для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 650 В
• Струм дрена: 1,21 А (постійний), 8 А (імпульсний)
• Розсіювана потужність: 44 Вт
• Корпус: TO252, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 100 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 1,21 А. У імпульсному режимі допустимий струм дрена становить 8 А, а максимальна розсіювана потужність — 44 Вт. Напруга затвор-джерело обмежена ±30 В. Заряд затвора становить 8,5 нКл, а опір у стані провідності — 5 Ом.

Монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі TO252 для поверхневого монтажу (SMD).

Комплект поставки

Товар постачається набором із 100 транзисторів. Символ виробника: BXP2N65D. Виробник: Bridgelux.