Транзистор P-MOSFET ONSEMI BVSS84LT1G, SOT23, -50В, -0,13А (набір 60 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI BVSS84LT1G — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення в корпусі SOT23.## Комплектація набору

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Максимальна напруга дрена-джерела: -50 В
• Максимальний струм дрена: -130 мА
• Потужність розсіювання: 0,225 Вт
• Кількість у комплекті: 60 шт.

Основні електричні параметри

Транзистор працює при напрузі дрена-джерела до -50 В та максимальному струмі дрена -130 мА. Потужність розсіювання становить 0,225 Вт. Напруга затвор-джерело допускає значення ±20 В, а опір у стані провідності дорівнює 10 Ом.

Корпус SOT23 та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі SOT23. Монтаж здійснюється за технологією SMD (поверхневий монтаж).

Електричні характеристики каналу

Транзистор має канал збагачення (enhancement mode), що означає відсутність струму дрена при нульовій напрузі затвор-джерело.