Транзистор N-MOSFET ONSEMI BVSS138LT1G, SOT23, 50В, 0,2А (комплект 80 шт.)
2 050 ₴
- В наявності
- Код: TM072258
Транзистор N-MOSFET ONSEMI BVSS138LT1G, SOT23, 50В, 0,2А (комплект 80 шт.)В наявності
2 050 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI BVSS138LT1G — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення в корпусі SOT23. Комплект складається з 80 одиниць, призначених для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-витік: 50 В
- Струм стіка: 0,2 А
- Розсіювана потужність: 0,225 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 80 шт.
Напруга та струм
Компонент працює при максимальній напрузі стік-витік 50 В та витримує струм стіка 0,2 А.
Потужність та опір
Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 0,225 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 3,5 Ом, а допустима напруга затвор-витік обмежена ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.225 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 50 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3500 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 80 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 050 ₴