
Транзистор N-MOSFET NEXPERIA BUK9Y19-75B, 75В, 34,1А, LFPAK56 (BUK9Y19-75B.115) (BUK9Y19-75B,115) — набір 20 шт.
2 850 ₴
- В наявності
- Код: TM018128
Транзистор N-MOSFET NEXPERIA BUK9Y19-75B — це силовий напівпровідниковий прилад для електронних схем із навантаженням до 34,1 А. Модель у корпусі LFPAK56 (PowerSO8) забезпечує ефективне відведення тепла та компактне розміщення на платі.
- Струм дрена 34,1 А та імпульсний струм 192 А
- Напруга дрена-джерела 75 В
- Опір у стані провідності 48 мОм
- Розсіювана потужність 106 Вт
- Корпус LFPAK56 (PowerSO8) для SMD монтажу
- Набір із 20 транзисторів
Потужність та струм
Транзистор працює з напругою дрена-джерела 75 В та постійним струмом дрена 34,1 А. У імпульсному режимі прилад витримує піковий струм до 192 А, що дозволяє використовувати його в схемах із високими стартовими навантаженнями. Максимальна розсіювана потужність становить 106 Вт.
Низький опір та ефективність
Опір у стані провідності становить 48 мОм.
Автомобільне застосування
Компонент призначений для використання в автомобільній промисловості. Заряд затвора становить 30 нК.
Монтаж та корпус
Транзистор виконаний у корпусі LFPAK56 (також відомому як PowerSO8 або SOT669) для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
Увага: товар продається набором із 20 штук.
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 106 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 15 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 75 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 34.1 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 48 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | LFPAK56, PowerSO8, SOT669 |
| Виробник | NEXPERIA |
- Ціна: 2 850 ₴
