Транзистор N-MOSFET NEXPERIA BUK9Y19-55B,115 (55В, 46А, LFPAK56) — 20 шт.

Транзистор N-MOSFET NEXPERIA BUK9Y19-55B,115 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі LFPAK56 (PowerSO8, SOT669) для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга стік-витік: 55 В
• Струм стіка: 46 А (імпульсний до 184 А)
• Потужність розсіювання: 85 Вт
• Корпус: LFPAK56 (PowerSO8, SOT669), монтаж SMD
• Комплект: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 55 В та постійний струм стіка 46 А. Імпульсний струм може досягати 184 А, а розсіювана потужність становить 85 Вт. Напруга затвор-витік обмежена ±15 В, що визначає умови керування пристроєм.

Монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі LFPAK56, який також відомий як PowerSO8 або SOT669. Призначений для поверхневого монтажу (SMD) на друковані плати. Корпус LFPAK56 розрахований на розсіювання потужності до 85 Вт.

Комплект поставки

У наборі постачається 20 транзисторів. Набір містить 20 транзисторів. Компонент призначений для застосування в автомобільній промисловості. Заряд затвора становить 18 нКл, що впливає на швидкість перемикання. Опір у відкритому стані дорівнює 17,3 мОм, що мінімізує втрати енергії при проходженні струму.