Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Nexperia BUK7Y7R0-40HX, 40В, 48А, LFPAK56 (30 шт.)

2 710 ₴

  • В наявності
  • Код: TM018126
Транзистор N-MOSFET Nexperia BUK7Y7R0-40HX, 40В, 48А, LFPAK56 (30 шт.)
Транзистор N-MOSFET Nexperia BUK7Y7R0-40HX, 40В, 48А, LFPAK56 (30 шт.)В наявності
2 710 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET Nexperia BUK7Y7R0-40HX — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах із навантаженням до 48 А. Комплект із 30 штук забезпечує запас для серійного виробництва або ремонту обладнання.

  • Струм стоку 48 А та імпульсний струм 272 А
  • Напруга стік-витік 40 В
  • Опір у стані провідності 13,6 мОм
  • Розсіювана потужність 64 Вт
  • Корпус LFPAK56 (PowerSO8, SOT669)
  • Комплект із 30 транзисторів

Автомобільне застосування та надійність

Транзистор призначений для використання в автомобільній промисловості, де критичними є надійність та стійкість до складних умов експлуатації. Високий імпульсний струм 272 А та постійний струм 48 А дозволяють керувати потужними навантаженнями, характерними для бортових систем. Розсіювана потужність 64 Вт та напруга стік-витік 40 В визначають робочий діапазон компонента в силових ланцюгах.

Низький опір та ефективність

Опір у стані провідності дорівнює 13,6 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Заряд затвора 26 нКл впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера затвора. Максимальна напруга затвор-витік ±20 В визначає допустимий рівень керуючого сигналу.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі LFPAK56 (також відомому як PowerSO8 або SOT669), який поєднує компактні розміри з хорошою теплопровідністю. Монтаж здійснюється за технологією SMD (поверхневий монтаж), що підходить для автоматизованого виробництва друкованих плат.

Тип транзистора та каналізація

Компонент є уніполярним N-MOSFET із каналом збагачення, що забезпечує просте керування та стабільну роботу в ключових режимах. Така конфігурація дозволяє ефективно перемикати навантаження, використовуючи стандартні драйвери затвора без додаткових складних схем.

Характеристики
Основні
Максимальна потужність розсіювання64 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік40 В
Максимально допустимий струм стоку48 А
Опір у відкритому стані (Rds)13.6 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті30 шт.
КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
ВиробникNEXPERIA
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 710 ₴