Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор P-MOSFET NEXPERIA BUK4D38-20PX, -20В, -11А, DFN6 (комплект 40 шт.)

2 220 ₴

  • В наявності
  • Код: TM072247
Транзистор P-MOSFET NEXPERIA BUK4D38-20PX, -20В, -11А, DFN6 (комплект 40 шт.)
Транзистор P-MOSFET NEXPERIA BUK4D38-20PX, -20В, -11А, DFN6 (комплект 40 шт.)В наявності
2 220 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор P-MOSFET NEXPERIA BUK4D38-20PX — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект складається з 40 штук.

  • Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
  • Напруга стік-витік: -20 В
  • Струм стіка: -11 А (постійний), -72 А (імпульсний)
  • Розсіювана потужність: 19 Вт
  • Опір у відкритому стані: 64 мОм
  • Корпус: DFN6 (SOT1220), монтаж SMD
  • Кількість у комплекті: 40 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік -20 В та постійний струм стіка -11 А. У імпульсному режимі струм може досягати -72 А, а розсіювана потужність становить 19 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 64 мОм.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі DFN6 (SOT1220) для поверхневого монтажу (SMD). Заряд затвора становить 16 нКл.

Електричні параметри затвора та застосування

Максимальна напруга затвор-витік становить ±12 В. Заряд затвора дорівнює 16 нКл. Транзистор призначений для застосування в автомобільній промисловості.

Характеристики
Основні
Максимальна потужність розсіювання19 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік12 В
Опір у відкритому стані (Rds)64 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті40 шт.
КорпусDFN6, SOT1220
ВиробникNEXPERIA
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 220 ₴