Транзистор N-MOSFET Infineon BSZ900N15NS3GATMA1, 150В, 13А, 20 шт.
2 170 ₴
- В наявності
- Код: TM035158
Транзистор N-MOSFET Infineon BSZ900N15NS3GATMA1, 150В, 13А, 20 шт.В наявності
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSZ900N15NS3GATMA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 150 В та струм 13 А. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі PG-TSDSON-8 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрена-джерела: 150 В
- Струм дрена: 13 А
- Опір у стані провідності: 90 мОм
- Розсіювана потужність: 38 Вт
- Корпус: PG-TSDSON-8, монтаж SMD
- Технологія: OptiMOS™ 3
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела 150 В та витримує струм дрена 13 А. Опір у стані провідності становить 90 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 38 Вт, а допустима напруга на затворі — ±20 В.
Технологія та монтаж
Прилад виготовлений за технологією OptiMOS™ 3. Корпус PG-TSDSON-8 призначений для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
У наборі постачається 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 38 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 13 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 90 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PG-TSDSON-8 |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 170 ₴