Транзистор N-MOSFET Infineon BSZ440N10NS3GATMA1, 100В, 18А, PG-TSDSON-8 (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель BSZ440N10NS3GATMA1. Це уніполярний компонент з каналом збагачення, розрахований на напругу 100 В та струм 18 А. Пакет містить 20 одиниць у корпусі PG-TSDSON-8.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
• Напруга стік-витік: 100 В
• Струм стіка: 18 А
• Розсіювана потужність: 29 Вт
• Корпус: PG-TSDSON-8, монтаж SMD
• Комплектація: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік до 100 В та витримує струм стіка 18 А. Напруга затвор-витік становить ±20 В. Опір у відкритому стані дорівнює 44 мОм.

Теплові характеристики та технологія OptiMOS™ 3

Максимальна розсіювана потужність становить 29 Вт. Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™ 3, що впливає на його електричні характеристики. Транзистор призначений для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі PG-TSDSON-8, що забезпечує компактне розміщення на друкованих платах. Напруга затвор-витік становить ±20 В, а опір у відкритому стані — 44 мОм, що визначає умови керування та ефективність комутації. Канал транзистора є збагачуваним, що означає відсутність струму стіка при нульовій напрузі затвора. Пакет постачання містить 20 одиниць.