Транзистор N-MOSFET Infineon BSZ097N04LSGATMA1, 40V, 40A, PG-TSDSON-8 (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель BSZ097N04LSGATMA1. Це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для роботи в електричних колах із напругою до 40 В та струмом до 40 А. Пакет містить 20 одиниць товару в корпусі PG-TSDSON-8.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-виток: 40 В
• Максимальний струм стоку: 40 А
• Розсіювана потужність: 35 Вт
• Опір у відкритому стані: 9,7 мОм
• Корпус: PG-TSDSON-8, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу між витоком та стоком 40 В та постійний струм стоку 40 А. Опір у відкритому стані становить 9,7 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 35 Вт, а допустима напруга на затворі — ±20 В.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі PG-TSDSON-8, що підходить для поверхневого монтажу (SMD). Використовується технологія OptiMOS™ 3. Монтаж: SMD (поверхневий).