Транзистор N-MOSFET Infineon BSZ040N04LSGATMA1, 40В, 40А, PG-TSDSON-8 (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель BSZ040N04LSGATMA1. Це польовий транзистор з каналом збагачення, розрахований на максимальну напругу стік-витік 40 В та струм стоку 40 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий, збагачуваний канал)
• Максимальна напруга стік-витік: 40 В
• Максимальний струм стоку: 40 А
• Потужність розсіювання: 69 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 4 мОм
• Корпус: PG-TSDSON-8, монтаж поверхневий
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 40 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимальний струм стоку становить 40 А, а потужність розсіювання — 69 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 4 мОм.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі PG-TSDSON-8 з використанням технології OptiMOS™ 3. Тип монтажу — поверхневий (SMD).

Комплектація

У наборі постачається 20 транзисторів. Компонент є уніполярним (Polaryzacja: unipolarny). Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В.