Транзистор N-MOSFET Infineon BSS87H6327FTSA1, SOT89-4, 240В, 0,26А (набір 30 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon BSS87H6327FTSA1 — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель виконана в корпусі SOT89-4 для поверхневого монтажу (SMD) та реалізує технологію OptiMOS™. Комплект складається з 30 одиниць.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Корпус: SOT89-4, монтаж SMD
• Напруга стік-витік: 240 В
• Струм стіка: 0,26 А
• Розсіювана потужність: 1 Вт
• Опір у стані провідності: 6 Ом
• Технологія: OptiMOS™
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 240 В та струм стіка 0,26 А. Опір у стані провідності становить 6 Ом. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 1 Вт, а допустима напруга затвор-витік — ±20 В.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі SOT89-4, що є стандартом для поверхневого монтажу (SMD). Таке виконання дозволяє розміщувати транзистор на друкованих платах без використання отворів.