P-канальний польовий транзистор NEXPERIA BSS84AKW,115 у корпусі SC70 (SOT323). Це уніполярний компонент з максимальним струмом витоку -0,095 А та напругою затвор-витік 20 В. Пакет містить 150 одиниць.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Корпус: SC70, SOT323 (поверхневий монтаж)
- Максимальна потужність розсіювання: 0,31 Вт
- Максимальна напруга затвор-витік: 20 В
- Кількість у комплекті: 150 шт.
Електричні параметри
Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом збагачення. Максимальна потужність розсіювання становить 0,31 Вт. Напруга затвор-витік обмежена 20 В, а заряд затвора — 0,35 нКл.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у поверхневому корпусі SC70, також відомому як SOT323.
Комплектація
У наборі постачається 150 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 0.31 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 150 шт. |
| Корпус | SC70, SOT323 |
| Виробник | NEXPERIA |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 410 ₴

