Транзистор P-MOSFET Nexperia BSS84AKW, 150 шт., SMD SOT323 (BSS84AKW.115) (BSS84AKW,115)

Транзистор P-MOSFET Nexperia BSS84AKW — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Пакет містить 150 одиниць у корпусі SC70/SOT323, що забезпечує компактне розміщення на друкованих платах.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Напруга дрена-джерела: -50 В
• Струм дрена: -0,095 А
• Потужність розсіювання: 0,31 Вт
• Корпус: SC70, SOT323 (SMD)
• Кількість у комплекті: 150 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до -50 В та максимальним струмом дрена -0,095 А. Потужність розсіювання становить 0,31 Вт, а опір у стані провідності дорівнює 13,5 Ом. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В, що визначає допустимі режими керування каналом.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SC70 (SOT323) з типом монтажу SMD. Таке виконання дозволяє використовувати транзистор у схемах із високою щільністю розташування елементів. Заряд затвора становить 0,35 нКл, що впливає на швидкодію перемикання. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В, що визначає допустимі режими керування каналом. Опір у стані провідності дорівнює 13,5 Ом, що характеризує втрати при відкритому каналі. Тип каналу — збагачуваний, що забезпечує надійне закриття транзистора без додаткового навантаження. Компактний корпус SC70/SOT323 дозволяє розміщувати компонент у схемах із високою щільністю монтажу.