Транзистор P-MOSFET ONSEMI BSS84 — це уніполярний компонент для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SOT23. Товар поставляється набором із 60 штук.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Напруга дрена-джерела: -50 В
- Струм дрена: -130 мА
- Розсіювана потужність: 0,36 Вт
- Кількість у наборі: 60 шт.
Технічні параметри
Транзистор має канал збагачення та працює при напрузі дрена-джерела до -50 В. Максимальний струм дрена становить -130 мА, а розсіювана потужність — 0,36 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 17 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у стандартному корпусі SOT23, призначеному для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
У пакуванні міститься 60 транзисторів ONSEMI BSS84. Напруга затвор-джерело становить ±20 В. Ємність затвора (заряд затвора) дорівнює 1,3 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.36 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 890 ₴

