Транзистор P-MOSFET Infineon BSS83PH6327XTSA1, SOT23, 60 шт.
1 980 ₴
- В наявності
- Код: TM072099
Транзистор P-MOSFET Infineon BSS83PH6327XTSA1, SOT23, 60 шт.В наявності
1 980 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель BSS83PH6327XTSA1. Це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі PG-SOT23. Пакет містить 60 одиниць.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: -60 В
- Струм стіка: -330 мА
- Потужність розсіювання: 0,36 Вт
- Корпус: PG-SOT23, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 60 шт.
Тип транзистора
Транзистор є уніполярним P-MOSFET з каналом збагачення. Напруга стік-витік становить -60 В, а струм стіка — -330 мА. Потужність розсіювання дорівнює 0,36 Вт. Напруга затвор-витік допускає значення ±20 В. Опір у відкритому стані становить 2 Ом.
Комплект поставки
Компонент виготовлений за технологією SIPMOS™. Корпус PG-SOT23 та тип монтажу SMD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.36 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | PG-SOT23 |
| Технологія | SIPMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 980 ₴