Транзистор N-MOSFET Infineon BSS806NH6327XTSA1, SOT23, 20V, 2,3A (60 шт.)
2 200 ₴
- В наявності
- Код: TM035156
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS806NH6327XTSA1, SOT23, 20V, 2,3A (60 шт.)В наявності
2 200 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS806NH6327XTSA1 — це уніполярний компонент у корпусі SOT23 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 60 штук.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 20 В
- Струм стіка: 2,3 А
- Потужність розсіювання: 0,5 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Комплектація: 60 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу стік-витік 20 В та максимальний струм стіка 2,3 А. Потужність розсіювання становить 0,5 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 82 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у стандартному корпусі SOT23. Використовується технологія OptiMOS™ 2. Монтаж виконується методом SMD (поверхневий монтаж). Канал транзистора — збагачуваний. Напруга затвор-витік становить ±8 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 82 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технологія | OptiMOS™ 2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 200 ₴